經(jīng)濟(jì)觀察網(wǎng) 記者 李靖恒3月2日晚間，斯達(dá)半導(dǎo)(603290.SH)發(fā)布了《2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案》公告，擬募集資金不超過35億元。
斯達(dá)半導(dǎo)表示，隨著世界各國對(duì)節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導(dǎo)體器件已從傳統(tǒng)的 工業(yè)控制和4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車)領(lǐng)域邁向新能源、新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多產(chǎn)業(yè)。功率半導(dǎo)體的發(fā)展使得變頻設(shè)備廣泛的應(yīng)用于日常的消費(fèi)，促進(jìn)了清潔能源、電力終端消費(fèi)、以及終端消費(fèi)電子的產(chǎn)品發(fā)展。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2014 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模僅為227億美元，2019年增長至382億美元。
目前，中國是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國，智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)作模式及投資前景展望報(bào)告》指出，目前中國的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模占全球市場(chǎng)規(guī)模35%左右，是全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，約為940.8億元。
“在新基建的產(chǎn)業(yè)環(huán)境下，5G、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制等諸多產(chǎn)業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體產(chǎn)生了巨大的需求，隨著功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展與國產(chǎn)替代進(jìn)程的加速，功率半導(dǎo)體具有廣闊的市場(chǎng)前景。”斯達(dá)半導(dǎo)稱。
此外，全球新能源汽車市場(chǎng)蓬勃發(fā)展也會(huì)帶動(dòng)SiC芯片需求快速增長。根據(jù)EV-volumes.com的數(shù)據(jù)，2020年，全球新能源汽車(包括純電動(dòng)和插電混動(dòng)車型)總銷量為324 萬輛，同比增長43%。EV-volumes.com公司預(yù)計(jì)，2021年電動(dòng)汽車的銷量將繼續(xù)增長，將達(dá)到460萬輛左右。
根據(jù)公告信息，本次籌集的資金將用于以下幾個(gè)項(xiàng)目：高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（20億元）、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目（7億元）、補(bǔ)充流動(dòng)資金（8億元）。其中，SiC芯片是指以SiC(碳化硅)材料為基底制作的半導(dǎo)體芯片；功率半導(dǎo)體器件是指以Si(硅)或者SiC(碳化硅)等半導(dǎo)體材料為基底制作的，具有處理高電壓，大電流能力的半導(dǎo)體功率器件。
斯達(dá)半導(dǎo)稱，高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力；而功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)預(yù)計(jì)將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。
數(shù)日前，信達(dá)證券電子行業(yè)分析師方競(jìng)團(tuán)隊(duì)在研究報(bào)告中表示，斯達(dá)半導(dǎo)是國內(nèi)IGBT行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。（IGBT：絕緣柵雙極型晶體管，一種半導(dǎo)體器件），2019該公司年在全球IGBT模塊市場(chǎng)排名第8，是唯一進(jìn)入前10的中國企業(yè)，并且公司營收主要來自IGBT模塊銷售，近年來IGBT模塊營收占比均保持在98%以上。
方競(jìng)進(jìn)一步介紹到，斯達(dá)半導(dǎo)自2005年成立以來一直專注于IGBT及模塊的自主設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司目前已成為少數(shù)實(shí)現(xiàn)IGBT大規(guī)模生產(chǎn)的國內(nèi)企業(yè)之一，先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯。同時(shí)，公司針對(duì)細(xì)分行業(yè)客戶對(duì)IGBT 模塊產(chǎn)品性能、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等的不同要求，開發(fā)了不同系列的IGBT模塊產(chǎn)品，在變頻器、新能源汽車及逆變電焊機(jī)等細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域形成了一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
此外，方競(jìng)的研究報(bào)告還指出，斯達(dá)半導(dǎo)前瞻性地布局碳化硅模塊，強(qiáng)化了新能源汽車領(lǐng)域布局。碳化硅是第三代化合物半導(dǎo)體材料，與硅基器件相比，碳化硅模塊具有損耗更低、體積更小、耐溫更高等優(yōu)勢(shì)。尤其在電動(dòng)車領(lǐng)域，由于單個(gè)電池容量難進(jìn)一步提升，為提高續(xù)航需盡可能增加電池個(gè)數(shù)。碳化硅器件的使用可降低功耗，減小電控等部件體積，從而使得電池安排游刃有余。同時(shí)，由于碳化硅開關(guān)頻率更高，在高壓充電樁中采用碳化硅器件也可使得充電。
方競(jìng)認(rèn)為：“雖然當(dāng)前SiC成本仍較高，且技術(shù)層面仍有一定挑戰(zhàn)。但長期來看新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅器件有望逐步替代硅基IGBT。”
