集微網消息，日本芯片制造商鎧俠開發了大約170層的NAND閃存，并與美光和SK海力士共同獲得了這項尖端技術。
圖源：日經亞洲評論
日經亞洲評論報道稱，這種新型NAND存儲器是與美國合作伙伴西部數據（Western Digital）聯合開發的，其寫入數據的速度是鎧俠目前頂級產品（112層）的兩倍以上。
另外，鎧俠還成功地在新型NAND每層上安裝了更多的存儲單元，這意味著與相同容量的存儲器相比，它可以使芯片縮小30％以上。更小的芯片將使智能手機、服務器和其他產品的構造具有更大的靈活性。
據悉，鎧俠計劃在正在進行的國際固態電路大會上推出其新款NAND，并預計最早在明年開始量產。
隨著5G技術的興起，數據傳輸規模更大、速度更快，鎧俠希望挖掘與數據中心、智能手機相關的需求。但該領域的競爭已經在加劇，美光和SK 海力士已先于鎧俠宣布了176層NAND。
為了提高閃存的產量，鎧俠和西部數據計劃今年春季在日本四日市建設一個1萬億日元（合94.5億美元）的工廠，他們的目標是在2022年開通第一批生產線。此外，鎧俠在日本Kitakami工廠旁邊也收購了很多工廠，以便未來能夠根據需要擴大產能。
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