存儲行業隨著物聯網時代的來臨也迎來了一波新的發展機遇，近日，根據最新消息顯示，美系存儲巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產品基于美光全新研發的替代柵極架構，將于明年開始小范圍量產。

根據知情人士透露，美光新型替代柵極架構將首次應用在128層閃存之中，繼續沿用CMOS陣列，新一代的替代柵極結構有望讓Die size和成本進一步減小。

美光集團CEO對此表示，目前已經成功完成替代柵極架構的3D NAND芯片的首次流片，這一里程碑的進展降低了產品技術向下一代技術過渡的風險，并且強調首代替代柵極架構將被應用在128層NAND產品上，先期會被應用到特定的產品線。

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