8月17日消息，據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會在年內開始生產236層NAND閃存。

三星電子236層NAND閃存預計年內開始生產，是由韓國媒體率先開始報道的。

韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產的NAND閃存，最高是176層，在236層的產品量產之后，三星電子NAND閃存的層數就將創下新高。

從韓國媒體的報道來看，三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，三星電子目前在全球NAND閃存市場的份額約為35%。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產技術、價格及性能上的競爭優勢，增加市場份額。

在全球NAND閃存市場上，主要廠商之間的競爭也較為激烈，都在研發性能更強的產品。SK海力士8月2日就在官網宣布，他們已經研發出了238層512Gb TLC 4D NAND，預計在明年上半年開始量產。美光科技此前也已宣布，他們完成了232層NAND閃存的研發。

關鍵詞： 三星電子