摩根士丹利(大摩)證券示警，由于需求疲軟，將導(dǎo)致下半年存儲器價格更快速下滑，影響范圍包括三大內(nèi)存。

三大內(nèi)存為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、編碼型閃存(NOR Flash)、儲存型閃存(NAND Flash)。

報告指出，由于需求疲軟，加上廠商與客戶端的高庫存水位，內(nèi)存供應(yīng)鏈將面臨巨大的去庫存壓力，造成下半年價格將進一步下跌，且嚴(yán)重程度將大過市場預(yù)期。

對于中國臺廠，大摩認(rèn)為，除了旺宏、華邦電、南亞科、力積電等劣于大盤外，連原先相對看好的群聯(lián)，評價轉(zhuǎn)至中立。雖然群聯(lián)在中國大陸的成長動能強勁，但由于高庫存及 NAND 價格環(huán)境惡化，NAND 景氣循環(huán)短期內(nèi)不太可能快速復(fù)蘇。

報告指出，業(yè)界認(rèn)為，SK 與三星已停止生產(chǎn) 1Gb 及 2Gb 內(nèi)存，并且降低 DDR3 的生產(chǎn)。不過，由于 CMOS 圖像傳感器的市場展望趨于疲弱，三星正在將 CIS 的產(chǎn)能用來生產(chǎn) DDR3，使特殊型 DRAM 供給情況更加不妙。長期來說，SK 及三星不會放棄消費 DRAM 市場，而是移轉(zhuǎn)到 DDR4 以著眼于 4Gb 產(chǎn)品。

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