市調(diào)機(jī)構(gòu) Yole Dédevelopement 近日發(fā)布《內(nèi)存行業(yè)年度狀況報(bào)告》顯示，2022 年，DRAM、NAND 閃存市場(chǎng)將分別增長(zhǎng) 25%、24% 到 1180 億美元、830 億美元，均創(chuàng)歷史新高。2021-2027 年，獨(dú)立內(nèi)存市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以 8% 的 CAGR 增長(zhǎng)至 2600 多億美元。然而，季節(jié)性因素仍將存在。

據(jù) Evertiq 報(bào)道，Yole 存儲(chǔ)器高級(jí)市場(chǎng)與技術(shù)分析師 Simone Bertolazzi 博士表示，“在貿(mào)易摩擦和新冠疫情爆發(fā)的情況下，獨(dú)立內(nèi)存市場(chǎng)在過(guò)去兩年一直在擴(kuò)張。2020 年和 2021 的收入分別增長(zhǎng)了 15% 和 32%。如此顯著的增長(zhǎng)是大多數(shù)細(xì)分市場(chǎng)的生產(chǎn)受限和需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)共同推動(dòng)的。”

2022 年是 NAND 閃存發(fā)明 35 周年。自 1987 年以來(lái)，NAND 設(shè)備的位密度和位成本一直在不斷提高。為了維持這種規(guī)模，人們正在深入研究新的技術(shù)解決方案，包括 CBA 體系結(jié)構(gòu)，如長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 Xtacking 方法。如今，所有的存儲(chǔ)器制造商都在使用混合鍵合設(shè)備進(jìn)行研發(fā)。鎧俠和三星等主要供應(yīng)商正在將晶圓對(duì)晶圓鍵合納入 NAND 路線圖。

DRAM 業(yè)務(wù)上，Yole 指出了當(dāng)前的共識(shí)，即平面縮放 —— 即使通過(guò)光刻 EUV 工藝，也不足以在整個(gè)未來(lái)十年提供所需的位密度改善。因此，主要設(shè)備供應(yīng)商和領(lǐng)先的 DRAM 制造商正在考慮將單片 3D DRAM(相當(dāng)于 3D NAND 的 DRAM)作為長(zhǎng)期擴(kuò)展的潛在解決方案。Yole 的分析師認(rèn)為，這種新型 3D 技術(shù)可能會(huì)在 2029-2030 年進(jìn)入市場(chǎng)。

關(guān)鍵詞：