4 月 28 日消息，三星電子周四宣布，將在本季度 (即未來幾周內(nèi)) 開始使用 3GAE (早期 3nm 級(jí)柵極全能) 工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。這不僅標(biāo)志著業(yè)界首創(chuàng) 3nm 級(jí)制造技術(shù)，也是首個(gè)使用環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GAAFETs) 的節(jié)點(diǎn)。

“這是世界上首次大規(guī)模生產(chǎn)的 GAA 3 納米工藝，將以此提高技術(shù)領(lǐng)先地位，”三星在一份報(bào)告中寫道。

三星 Foundry 的 3GAE 工藝技術(shù)是首次使用 GAA 晶體管 (三星將其稱為“多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MBCFET)”) 工藝。

IT之家了解到，三星大約在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 工藝節(jié)點(diǎn)。當(dāng)該公司描述使用其 3GAE 技術(shù)生產(chǎn)的 256Mb GAAFET SRAM 芯片時(shí)，它拿出了許多數(shù)據(jù)。

三星表示，該工藝將實(shí)現(xiàn) 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高達(dá) 80% 的晶體管密度(包括邏輯和 SRAM 晶體管的混合)。不過，三星的性能和功耗的實(shí)際組合將如何發(fā)揮作用還有待觀察。

理論上，與目前使用的 Finfet 相比，Gaafet 有許多優(yōu)勢(shì)，例如可大大降低晶體管漏電流 (即，降低功耗) 以及挖掘晶體管性能的潛在實(shí)力，這意味著更高的產(chǎn)率、和改進(jìn)的產(chǎn)能。此外，根據(jù)應(yīng)用材料公司最近的報(bào)告，GAAFETs 還可以減少 20% 至 30% 的面積。

當(dāng)然，三星的 3GAE 只是一種“早期”的 3nm 級(jí)制造技術(shù)，3GAE 將主要由三星 LSI(三星的芯片開發(fā)部門)以及可能一兩個(gè) SF 的其他 alpha 客戶使用。如果這些產(chǎn)品的產(chǎn)量和性能符合預(yù)期，那么不久之后我們就可以看到新品大量出貨了。

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