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消息稱三星電子2020年開始在韓國平澤市建設(shè)的P3晶圓廠 計劃在下半年建成

2022-04-24 16:33:29來源:TechWeb

4 月 24 日消息,據(jù) TheLec 報道,三星電子 2020 年開始在韓國平澤市建設(shè)的 P3 晶圓廠,將在下月開始設(shè)備的安裝,計劃在今年下半年建成。

三星平澤 P3 晶圓廠下月開始設(shè)備的安裝,是韓國媒體率先援引消息人士的透露報道的,設(shè)備的進(jìn)入及安裝將持續(xù)到 7 月份,較最初計劃的時間將提前 1 個月。

三星電子在平澤建設(shè)的 P3 工廠,占地 70 萬平方米,將成為全球園區(qū)最大的晶圓廠,是三星電子 P2 工廠的 1.7 倍。當(dāng)然,工廠的投資也會相當(dāng)龐大,他們計劃未來幾年最少投資 30 萬億元,最多則投資 50 萬億韓元,也就是至少投資 240 億美元,最高投資 400 億美元。

從外媒的報道來看,三星電子平澤 P3 晶圓廠,規(guī)劃的是一座既生產(chǎn)存儲芯片,又生產(chǎn)邏輯芯片的工廠,率先投產(chǎn)的是 NAND 閃存,隨后是 DRAM,隨后是采用 3nm 工藝為其他廠商代工晶圓的生產(chǎn)線。

三星電子平澤 P3 晶圓廠率先開始生產(chǎn) NAND 閃存,也就意味著工廠設(shè)備的安裝,將從 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備開始,外媒在報道中是表示在 5 月份的第一個周就將開始安裝。

值得注意的是,三星電子的這一座工廠,將大量采用極紫外光刻機(jī)。外媒在報道中就提到,這一工廠的 NAND 閃存生產(chǎn)線,將采用極紫外光刻機(jī)生產(chǎn)第 7 代 176 層 V-NAND 閃存,為其他廠商代工晶圓的 3nm 工藝,也需要極紫外光刻機(jī)。

關(guān)鍵詞: 三星電子

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