國內廠商作為全球光伏逆變器行業領軍者，為碳化硅器件國產化提供便利條件： 近年來光伏逆變器市場格局發生巨大變化，國內逆變器廠商從追隨者轉變為領軍者。根據伍德麥肯茲數據， 2020 年在全球逆變器出貨排名前十中，有六家來自中國的供應商，分別是華為、陽光電源、古瑞瓦特、錦浪科技、上能電氣和固德威。華為逆變器出貨量占全球的 23%，位列第一;陽光電源的出貨量占全球的 19%，位列第二。據 Wood Mackenzie 數據，華為和陽光電源均已累計出貨超過 100GW，逐漸走向領軍地位。碳化硅功率器件是光伏逆變器中的關鍵部件，價值量占比較高，國內光伏逆變器市場的發展將帶來碳化硅器件需求增長。
采用碳化硅方案可有效提高光伏逆變器轉換效率、提升功率密度、減少重量和體積: 碳化硅光電性能優越，SiC 的帶隙寬度大約是硅的 3 倍，其導熱率為硅的 3.3 倍，寬禁帶使得其可在高溫環境下穩定運行，較高的導熱系數意味著碳化硅的器件可以縮小冷卻結構，減小系統重量和體積，如碳化硅二極管在開通過程中可基本實現零正向恢復電壓，在關斷過程中沒有過剩載流子復合過程，可以減小逆變器恢復損耗、提高開關效率。根據產業調研， 采用碳化硅方案的光伏逆變器， 整體系統效率可提升 1%-2%左右，能量損耗降低 50%以上，體積和重量減少40%——60%左右，大幅降低系統度電成本及安裝維護成本。
現階段主要采用硅基 IGBT+碳化硅 SBD 方案， 碳化硅成本下降空間大，未來 5 年有望在光伏領域滲透率加速提升： 碳化硅 MOS 方案能夠明顯提升發電效率，但由于目前碳化硅模塊價格仍為硅基 IGBT 的 3-4倍， 成本高昂，現階段業內多采用硅基 IGBT+碳化硅 SBD 混合方案，以 SiC SBD 替換 FRD 來降低恢復損耗、提高電源效率。 根據各光伏逆變器龍頭公司官網，國際大廠紛紛布局碳化硅方案，如英飛凌、安森美、富士電機等國際大廠已經實現了規模化應用，國內陽光電源也在2014 年推出第一款采用 SiC MOSFET 器件的光伏逆變器，并于 2017 年規模化應用。隨著碳化硅生產技術的成熟，碳化硅成本將進一步下降，采用碳化硅方案提升轉換效率所創造的價值將抵消碳化硅成本，提高碳化硅在光伏領域的滲透率。據產業調研，隨著碳化硅成本的下降，2025 年 SiC 在光伏逆變器領域的滲透率有望達 30%-50%， 我們預計其在光伏及儲能領域有近七十億級別市場，前景廣闊。
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