3 月 17 日消息，據businesswire 報道，豐田合成Toyoda Gosei 與大阪大學合作，成功研制出了6 英寸的氮化鎵 GaN 襯底。

GaN 功率器件廣泛用于工業機械、汽車、家用電子等領域，隨著全球碳中和的目標，GaN 功率器件作為減少電力損失的一種手段而被寄予厚望，因此需要更高質量和更大直徑的 GaN 襯底，以實現更高的生產效率(降低成本)。

在日本環境省牽頭的一個項目中，豐田合成和大阪大學采用了一種在鈉和鎵的液態金屬中生長 GaN 晶體的方法，來制造高質量的 GaN 襯底，成功制造出了 6 英寸的襯底，為目前世界最大的襯底。

IT之家了解到，豐田合成接下來將對 6 英寸襯底的批量生產進行質量評估，繼續提高質量，并繼續增加直徑尺寸，有望超過 6 英寸。

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