三星在2021年高調地進行半導體擴張計劃，表示未來十年將投資1515億美元用于晶圓廠的建設，并在3nm制程節(jié)點引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，計劃2022年上半年量產第一代3nm工藝，2023年量產第二代3nm工藝。三星希望通過提升產能，加快工藝技術的研發(fā)，拉近與領頭羊臺積電(TSMC)之間的距離。

一般討論三星半導體制造技術的時候，都會將目光聚焦在先進制程節(jié)點上，比如3nm/4nm/5nm工藝。事實上，三星和臺積電的差距不止在先進工藝技術上，還有包括成熟制程節(jié)點的產能和相關供應鏈的配套上。據Business Korea報道，三星正在考慮建立自己的芯片測試和封裝廠，以便更好地為合作伙伴提供全方位的服務。三星還打算改進舊工藝來提高性能和成本競爭力，同時擴展成熟制程節(jié)點的產能，用于制造CMOS圖像傳感器(CIS)等芯片。

去年三星在“Samsung Foundry Forum 2021”論壇活動上，介紹了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工藝，即Low Power Value的17nm工藝。作為28nm的衍生工藝，在原工藝基礎上加入了14nm工藝使用的FinFET工藝技術，以相對低成本享受到新的技術優(yōu)勢。與原有的28nm工藝相比，芯片面積可減少43%，性能提高39%或功耗降低49%。

傳聞三星計劃到2026年的時候，其晶圓代工業(yè)務的客戶數量達到300家以上。相比之下，臺積電2022年的客戶數量預計將有500家以上，而三星僅突破100家，兩者相差了五倍。目前在臺積電的營收里，先進工藝和成熟工藝大概各占一半，三星則是先進工藝占據了大部分營收。此外，三星現階段在汽車和人工智能領域的芯片制造上，仍處于起步階段，這將是未來其晶圓代工是否能繼續(xù)壯大的關鍵。

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