6 月 5 日消息 據媒體 JCNnewswire 報道，華虹半導體近日宣布，其 90nm BCD 工藝在華虹無錫 12 英寸生產線已實現規模量產，該工藝具備性能高、核心面積較小等優勢。
華虹半導體表示，其 90nm BCD 工藝擁有更佳的電性參數，并且得益于 12 英寸制程的穩定性以及良率優異，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競爭力的制造方案。
華虹半導體執行副總裁范恒表示，“智能化硬件種類與應用場景不斷增多，對電源管理芯片的需求持續攀升，對電源管理芯片的性能要求也在不斷提高。”華虹半導體的 90nm BCD 工藝憑借高性能指標及較小的芯片面積等優質特色，受到眾多客戶青睞。
IT之家了解到，BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術是一種單片集成工藝技術，能夠在同一芯片上制作 Bipolar、CMOS 和 DMOS 器件，1985 年由意法半導體率先研制成功。隨著集成電路工藝的進一步發展，BCD 工藝已經成為 PIC 的主流制造技術。
華虹半導體是全球領先的特色工藝純晶圓代工企業，專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等特色工藝平臺。
