國內最大的NOR閃存公司兆易創新上周末發表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內存研發及產業化，最快2021年開始量產。

在募資公告中，兆易創新公布了這個項目的預計實施時間及整體進度安排，具體如下：

·2020年，兆易創新將啟動首款DRAM芯片產品定義，包括市場定位、產品規格及芯片設計工藝。

·2020年，兆易創新將定義首款芯片的生產職稱，并將經過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統驗證。

·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。

·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產，測試成功后進行大批量生產。

·2022-2025年，進行新系列芯片研發及量產。

從兆易創新的安排來看，如果沒有延期，那么他們的DRAM內存芯片最快會在2021年量產，2022年之后則會開始多個系列的產品研發及量產。

截至2019年9月30日，兆易創新公司及控股子公司共擁有和使用508項境內專利21項境外專利及16項集成電路布圖設計。

在DRAM技術及研發方面，公司已組建由數十名資深工程師組成的核心研發團隊，涵蓋前端設計、后端產品測試與驗證，該團隊的核心技術帶頭人員從事DRAM芯片行業平均超過二十年，具備較強的技術及研發實力。

此外，公司在存儲器領域的技術研發能力及擁有豐富經驗的資深工程師團隊也能夠有效地加速推進DRAM芯片的研發工作。

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