今天，三星官網(wǎng)發(fā)文稱已完成5nm FinFET工藝技術(shù)的開發(fā)，并且已經(jīng)可以為用戶提供樣品。與7nm相比，三星的5nm FinFET工藝技術(shù)將邏輯區(qū)域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，從而可以在更小的芯片面積當(dāng)中提供更強(qiáng)的性能并且功耗更低。同時(shí)在6nm和7nm工藝方面也有了很大的進(jìn)展。

除了從7nm到5nm的功率性能區(qū)域(PPA)改進(jìn)之外，用戶還可以使用三星的EUV技術(shù)，在金屬層圖案化中使用EUV光刻，并減少掩膜層，同時(shí)可以提供更好的保真度。三星還將自己在7nm時(shí)代的所有知識(shí)產(chǎn)權(quán)用到了5nm工藝的研發(fā)當(dāng)中，因此可以減少客戶從7nm過渡到5nm的成本，并可以預(yù)先驗(yàn)證設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)，從而縮短5nm產(chǎn)品開發(fā)的流程和時(shí)間。

三星Foundry與其“三星高級(jí)代工生態(tài)系統(tǒng)(SAFE)”合作伙伴密切合作，為三星5納米提供強(qiáng)大的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)，包括工藝設(shè)計(jì)套件(PDK)，設(shè)計(jì)方法(DM)，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具和IP自2018年第四季度開始提供。此外，三星Foundry已經(jīng)開始向客戶提供5nm多工程晶圓(MPW)服務(wù)。

三星電子鑄造業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Charlie Bae表示：“功完成5nm開發(fā)，我們已經(jīng)證明了我們?cè)诨贓UV的節(jié)點(diǎn)中的能力，響應(yīng)客戶對(duì)先進(jìn)工藝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求，以區(qū)分其下一代產(chǎn)品，我們繼續(xù)致力于加速基于EUV技術(shù)的批量生產(chǎn)。”

目前，三星已經(jīng)準(zhǔn)備好了5nm的樣品，同時(shí)6nm已經(jīng)成功流片，7nm可更快的批量生產(chǎn)。相比之下，臺(tái)積電5nm工藝已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)階段。

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