6 月 28 日消息，MOSFET 是一種在電池包裝中的安全保護開關，近日，豪威集團全新推出兩款 MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙 N 溝道 MOSFETWNMD2196A和 SGT 80V N 溝道 MOSFETWNM6008。

據(jù)官方介紹，雙 N 溝道增強型 MOSFET，WNMD2196A 具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻，RSS (ON) 低至 1m?，專為手機鋰電池電路保護設計。WNMD2196A 采用先進的溝槽技術設計，提供卓越的 RSS (ON) 的同時實現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快，闕值電壓低，開關速率高，可實現(xiàn)更高的效率和更低的溫升。

IT之家了解到，WNM6008——80V 高功率 MOSFET，采用最新一代 Shield Gate 技術，針對電信和服務器電源中使用的更高開關頻率進行了優(yōu)化，具備超低 FOM 值(開關應用重要優(yōu)值系數(shù))。WNM6008 適用于 DC-DC 轉換、電源開關和充電電路。可有效賦能太陽能、電源和電池供電(例如電動代步車)等應用。

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