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華碩研發(fā)出轉(zhuǎn)接卡 可以將DDR4內(nèi)存條轉(zhuǎn)接至DDR5內(nèi)存插槽

2021-12-31 16:25:41來源:IT之家

12 月 31 日消息,根據(jù)外媒 techpowerup 消息,一名 YouTube 用戶@林大餅 Bing 于 12 月 30 日發(fā)布了一段視頻,展現(xiàn)了華碩研發(fā)的一款內(nèi)存轉(zhuǎn)接卡,經(jīng)過實(shí)機(jī)測試能夠正常運(yùn)行。這款產(chǎn)品可以將 DDR4 內(nèi)存條轉(zhuǎn)接至 DDR5 內(nèi)存插槽,可以方便想要體驗(yàn)頂級(jí) Z690 主板,又不愿意花大價(jià)錢買 DDR5 內(nèi)存的用戶。

從圖中可以看出,ROG 這款轉(zhuǎn)接卡高度比較大,正面有電感、電容、MOS 管等眾多元器件。由于 DDR5 內(nèi)存的供電電源為 + 5V DC,而 DDR4 內(nèi)存的默認(rèn)供電電壓為 1.2V,因此轉(zhuǎn)接卡需要包含 DC-DC 供電電路。由于 DDR4、DDR5 的信號(hào)引腳定義各不相同,因此轉(zhuǎn)接卡也需要在信號(hào)方面進(jìn)行處理。

IT之家了解到,DDR5 內(nèi)存將單個(gè) 64bit 通道拆分為兩條 32bit 通道,總位數(shù)不便,來實(shí)現(xiàn)單條雙通道的效果。

這名 Up 主還從理論層面進(jìn)行探討,嘗試在一臺(tái)電腦上同時(shí)安裝 DDR4、DDR5 內(nèi)存并運(yùn)行。外媒表示,他負(fù)責(zé) ROG 玩家國度品牌的一些產(chǎn)品研發(fā)。

據(jù)IT之家此前報(bào)道,三星曾表示,目前 DDR5 內(nèi)存短缺的原因主要是 PMIC 電源芯片缺貨,而 DRAM 顆粒相對(duì)充足。由于這款轉(zhuǎn)接卡同樣需要電源芯片進(jìn)行降壓,因此產(chǎn)品同樣不能大規(guī)模供貨。目前華碩官方尚未公布這款轉(zhuǎn)接卡,是否會(huì)量產(chǎn)發(fā)售則是未知數(shù)。

關(guān)鍵詞: 轉(zhuǎn)接卡 發(fā)出 研發(fā)

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