三星宣布成功開發(fā)出界首個12層3D-TSV(直通硅通孔)技術(shù)。這是業(yè)界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝，而此前最大僅為8層。

3D-TSV最多用在HBM顯存上，這種技術(shù)通過芯片內(nèi)部的打孔填充金屬導(dǎo)電材料實現(xiàn)多層芯片互聯(lián)，其速度更快，密度更高。三星此次公布的12層DRAM封裝工藝需要在720微米厚的芯片上打超過60000個TSV孔，這些孔的尺寸僅為人頭發(fā)絲的二十分之一。

相比于8層HBM2，其芯片厚度相同，但是能夠增加DRAM容量。廠商也無需調(diào)整系統(tǒng)配置。三星相關(guān)負責(zé)人表示，隨著AI、高性能計算等領(lǐng)域的高速發(fā)展，確保超高性能存儲器所有復(fù)雜性的封裝技術(shù)正在變得越來越重要。而伴隨著摩爾定律達到極限，3D-TSV所扮演的角色將越來越關(guān)鍵。我們希望站在這一最新芯片封裝技術(shù)的最前沿。

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