北京時間3月21日消息，全球領先的高級存儲技術公司三星電子有限公司(Samsung Electronics)今日宣布，該公司在業(yè)界首次開發(fā)了第三代10納米級(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器)。

自開始大規(guī)模生產(chǎn)第二代10納米級8GB DDR4以來，短短16個月內(nèi)，三星電子在不使用Extreme Ultra-Violet(極紫外線光刻技術工藝，一種更復雜的芯片制造技術)處理的情況下開發(fā)10納米級(1z-nm)8GB第三代DDR4，意味著三星進一步提高了DRAM的擴展極限，在這一領域取得了領先地位。

隨著10納米級成為業(yè)界最小的內(nèi)存處理節(jié)點，三星現(xiàn)在已經(jīng)準備好用其新的10納米級(1z-nm)DDR4-DRAM來滿足日益增長的市場需求，其生產(chǎn)效率比以前的1Y納米級版本高20%以上。

據(jù)悉，10納米級(1z-nm)8GB第三代DDR4的批量生產(chǎn)將于今年下半年開始，以適應下一代企業(yè)服務器和有望在2020年推出的高端PC。

三星電子DRAM產(chǎn)品與技術執(zhí)行副總裁李榮培(Jung Bae Lee)表示：“我們致力于突破技術領域的最大挑戰(zhàn)，推動實現(xiàn)更大的創(chuàng)新。很高興能再次為下一代DRAM的穩(wěn)定生產(chǎn)奠定基礎，確保性能和能源效率的最大化。隨著我們推出10納米級(1z-nm)的DRAM系列產(chǎn)品，三星將繼續(xù)致力于支持其全球客戶部署尖端系統(tǒng)，并推動高端內(nèi)存市場的增長。”

三星開發(fā)的10納米級(1z-nm)DRAM為全球IT加快朝著下一代DRAM接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)過渡鋪平了道路，這些接口將推動未來的數(shù)字創(chuàng)新。接下來那些具有更高容量和性能的10納米級(1z-nm)產(chǎn)品將增強三星在市場的業(yè)務競爭力，鞏固其在高端DRAM市場應用的領導地位，包括服務器、圖形和移動設備等領域。

據(jù)報道，在與一家CPU制造商就8GB DDR4模塊進行全面驗證后，三星將積極與全球客戶合作，向其提供一系列即將面世的內(nèi)存解決方案。為了滿足目前的行業(yè)需求，三星計劃在其Pyeongtaek網(wǎng)站增加主要內(nèi)存生產(chǎn)的比重，同時與全球IT客戶合作，以滿足市場對最先進DRAM產(chǎn)品日益增長的需求。

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