6月20日消息,國家存儲器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開工。國家存儲器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。
國家存儲器基地項(xiàng)目一期于2016年底開工建設(shè),進(jìn)展順利,32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。
項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠,總投資240億美元。
其中,一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,并建成10萬片/月產(chǎn)能;二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月,兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬片。
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