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兆易創(chuàng)新宣布推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品

2022-08-19 11:43:26來源:TechWeb

8月19日消息,兆易創(chuàng)新今日宣布,推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中,能顯著降低運(yùn)行功耗,有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展,新一代智能可穿戴設(shè)備需要擁有更豐富的功能來滿足消費(fèi)者的需求,這種空間敏感型產(chǎn)品對(duì)系統(tǒng)功耗提出了更嚴(yán)苛的要求,希望進(jìn)一步提升產(chǎn)品的續(xù)航能力。從系統(tǒng)設(shè)計(jì)層面來看,一些先進(jìn)工藝器件的工作電壓已低至1.2V,如果所需的Flash可支持1.2V的電壓操作,這對(duì)于主控而言,將能夠有效簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)并優(yōu)化系統(tǒng)成本。

應(yīng)此需求,兆易創(chuàng)新推出了GD25UF產(chǎn)品系列,該系列工作電壓可擴(kuò)展至1.14~1.6V,具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式,支持不同容量選擇,能夠滿足智能設(shè)備所需的代碼存儲(chǔ)要求。

在讀寫性能方面

GD25UF最高時(shí)鐘頻率STR 120MHz,DTR 60MHz,擁有10萬次的擦寫壽命,數(shù)據(jù)有效保存期限可達(dá)20年。

在安全性方面

該產(chǎn)品具有128bit Unique ID來實(shí)現(xiàn)加密效果,為應(yīng)用帶來高安全保障。

同時(shí),為進(jìn)一步滿足低功耗的需求,GD25UF產(chǎn)品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式。在Normal Mode下,器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA;在Low Power Mode下,器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA,擦寫電流低至7mA,睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供電的SPI NOR Flash,1.2V GD25UF系列在Normal Mode下,相同電流情況下的功耗降低了33%,而在Low Power Mode下,相同頻率下的功耗降低了70%,有效延長(zhǎng)了設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

另外GD25UF系列產(chǎn)品的供電電壓支持1.14~1.6V的寬電壓范圍,可顯著延長(zhǎng)單電池供電應(yīng)用的使用壽命。并且該系列產(chǎn)品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封裝,全溫度工作范圍覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。

目前,兆易創(chuàng)新GD25UF系列可提供64Mb容量樣品,更多容量產(chǎn)品將陸續(xù)推出。

關(guān)鍵詞: 兆易創(chuàng)新

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