新的 NXH50M65L4C2SG和 NXH50M65L4C2ESG分別是基于標準氧化鋁 (AI2O3) 基板和增強型低熱阻基板的壓鑄模功率集成模塊 (TMPIM) 。這些模塊非常適用于具有高輸出功率的強固工業應用，它們包含一個轉換器-逆變器-PFC電路，由集成四個75 A、1600 V整流器的單相轉換器組成。三相逆變器使用6個集成反向二極管的50 A、600 V的IGBT，雙通道交錯式PFC包括兩個集成反向二極管的75 A、650 V PFC IGBT，和兩個50 A、650 V PFC二極管。壓鑄模功率集成模塊嵌入了一個負溫系數 (NTC) 熱敏電阻，以在工作期間監測器件溫度。
由于該模塊以優化的布局和配置進行預封裝，與基于 PCB 的分立設計相比，寄生元素非常小，從而實現在 18 kHz 和 65 kHz 之間的寬 PFC 開關頻率范圍。 高能效的 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 額定電流為 50 A，能在高達 8 kW 的應用中使用，是安森美半導體 TMPIM 系列的最新器件。其他器件的額定電流為 20 A 和 30 A。
緊湊的壓鑄模DIP-26封裝尺寸僅73毫米x 47毫米x 8毫米--比當前的方案節省20%的面積，實現了更高的功率密度水平。密封和強固的封裝包括一個集成散熱片(距引腳6毫米)，并提供高水平的耐腐蝕性。
安森美半導體還提供碳化硅 (SiC) 配置選項以進一步提高開關頻率和能效。
新的NXH50M65L4C2SG和NXH50M65L4C2ESG配以 FAN9672 PFC控制器和門極驅動器方案，包括新的NCD5700x系列器件。最近推出的NCD57252雙通道隔離型IGBT/MOSFET門極驅動器提供5 kV的電隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入(3.3 V、5 V和15 V)。該高電流器件(在米勒平臺電壓下，源電流4.0 A/灌電流6.0 A)適合高速工作，因為典型傳播延遲為60 ns。
以最高能效的方式驅動電機是簡化安裝、降低熱量積聚、提高可靠性以及降低系統成本的關鍵。 安森美半導體的 TMPIM 器件將輸出引腳標準化，最小化寄生元素，為設計人員提供高性能的“即插即用”方案。 將 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 與 FAN9672 和 NCD57252 相結合，提供一個快速設計路徑，以實現精密高能效的電機控制方案。
