7 月 1 日，長(zhǎng)電科技在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司可以實(shí)現(xiàn) 4nm 手機(jī)芯片封裝，以及 CPU，GPU 和射頻芯片的集成封裝。

據(jù)介紹，相比于傳統(tǒng)的芯片迭加技術(shù)，多維異構(gòu)封裝的優(yōu)勢(shì)是可以通過導(dǎo)入中介層及其多維結(jié)合，來(lái)實(shí)現(xiàn)更高密度的芯片封裝，同時(shí)多維異構(gòu)封裝能夠通過中介層優(yōu)化組合不同密度的布線和互聯(lián)達(dá)到性能和成本的有效平衡。

此前長(zhǎng)電科技也曾對(duì)外表示，公司一直與不同的晶圓廠在先進(jìn)制程的硅節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行合作并與行業(yè)內(nèi)大客戶開展相關(guān)技術(shù)研發(fā)和項(xiàng)目開發(fā)，現(xiàn)已具備 5/7nm 晶圓制程的量產(chǎn)能力并支持客戶完成了高性能運(yùn)算芯片和智能終端主芯片產(chǎn)品的量產(chǎn)。

此外，長(zhǎng)電科技還介紹，針對(duì)高性能計(jì)算領(lǐng)域，公司率先在晶圓級(jí)封裝、倒裝芯片互連、硅通孔 (TSV) 等領(lǐng)域中采用多種創(chuàng)新集成技術(shù)，并于去年 7 月推出 XDFOI 技術(shù)，可以為高性能計(jì)算應(yīng)用提供多層極高密度走線和極窄節(jié)距凸塊互聯(lián)，并可集成多顆芯片、高帶寬內(nèi)存和無(wú)源器件，在優(yōu)化成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更好的性能及可靠性。

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