7月27日消息，據國外媒體報道，芯片制造商SK海力士計劃今年將3D NAND閃存產能削減15%，以放緩產能擴張速度。這一數據高于此前計劃的10%。

這家芯片制造商表示，它將削減主要內存產品的產量，專注于高密度產品，以提高盈利能力。此外，該公司將重新考慮裝配其M15和M16晶圓廠的計劃，以減少資本支出。

2019年第二季度，由于SK海力士增加了72層3D NAND芯片的產量，而且總體需求有所增長，該公司的NAND閃存芯片出貨量與上季度相比增長了40%，但平均售價下降了25%。

除了減少3D NAND晶圓的開工數量，SK海力士還將放緩其位于韓國青州附近的M15工廠潔凈室空間的擴建速度。該工廠既能生產DRAM，也能生產3D NAND。

SK海力士還將推遲仁川附近M16工廠的設備安裝。此外，該公司還透露，計劃從2019年下半年開始，將其位于仁川的M10晶圓廠的部分生產線改造為CMOS圖像傳感器生產線，從而削減DRAM晶圓產量。

對于NAND閃存，SK海力士將從2019年下半年開始，專注于提高其72層3D NAND芯片的產量，擴大用于高端智能手機和SSD的96層4D NAND芯片的產量，并且還準備大規模生產128層1Tb TLC 4D NAND閃存產品。

日前，SK海力士發布了慘淡的2019年第二季度財報。財報顯示，該公司的營收同比下滑了38%，至6.45萬億韓元;營業利潤同比下降了89%，至6380億韓元(合5.419億美元)，為三年來最低水平;凈利潤從去年同期的4.3萬億韓元降至5370億韓元(約合4.6億美元)，較上年同期銳減88%。

該公司表示，其業績不佳，是由于需求復蘇弱于預期，以及中美緊張的貿易關系導致內存價格大幅下跌。(小狐貍)

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